A Intel revelou em um evento no Japão o protótipo da memória ZAM (Z-Angle Memory), uma tecnologia projetada para superar os limites das memórias HBM em termos de densidade e consumo energético. Com trilhas diagonais no chip, a solução promete oferecer até 512 GB por módulo e reduzir o consumo em até 50%.
A memória ZAM foi criada com o objetivo de atender demandas específicas de data centers, como o processamento de inteligência artificial, redes de alta velocidade e sistemas de busca em escala. Essa tecnologia, assim como a HBM no passado, não é indicada para PCs convencionais, mas deve se destacar em aplicações corporativas de grande volume de dados.
A entrada da Intel no mercado de memórias inovadoras é vista como um movimento estratégico para enfrentar gargalos que impedem o avanço da computação de alto desempenho. Enquanto memórias tradicionais lutam com desafios em litografia cada vez menores, como os de 2nm, a ZAM surge como uma alternativa para chips mais densos e potentes.
Apesar de não ser a criadora da memória ZAM, a Intel assumiu a liderança em seu desenvolvimento, incluindo fundição e decisões estratégicas. Não há ainda uma previsão para o início de sua produção em larga escala pela indústria.
