A indústria de tecnologia está novamente à frente em inovações, com grandes fabricantes como Samsung, SK hynix e Micron começando a desenvolver o substrato para a nova geração de memória RAM, a DDR6. Essa movimentação indica que a corrida por novas tecnologias já começou, com previsão de lançamento para até 2029, após um avanço significativo no desenvolvimento.
De acordo com informações do portal sul-coreano The Elec, as mencionadas empresas solicitaram às fabricantes de substrato que acelerem a produção para que possam iniciar os trabalhos preliminares no projeto da DDR6. A fase de design do chip já está programada para começar, mesmo que as especificações finais ainda não tenham sido definidas pelo JEDEC, a entidade responsável por regulamentar os padrões de memória.
O foco inicial dessa etapa é estabelecer um padrão através de testes, com o objetivo de ter tudo pronto antes da produção em massa. As práticas do setor sugerem que o desenvolvimento de novas memórias geralmente se inicia mais de dois anos antes do lançamento efetivo dos produtos, o que reforça a expectativa de que a DDR6 esteja disponível entre 2027 e 2029.
A nova memória promete um aumento significativo no desempenho, com a expectativa de que módulos DDR6 dobrem a velocidade em relação aos atuais DDR5, alcançando até 21 Gbps, embora a operação padrão deva ficar em torno de 17,6 Gbps. Para os chips mobile LPDDR6, a previsão é que a velocidade atinja 14,4 Gbps, mais do que o dobro da LPDDR5.
Essas projeções são baseadas em estimativas de 2024, o que pode indicar que alterações ainda possam ocorrer, visto que se trata de desempenho teórico que costuma ser definido antes do início da produção real. A atual estagnação da DDR5, impulsionada por preços elevados, levanta questionamentos sobre se a chegada da DDR6 será em um cenário de mercado mais favorável. Enquanto isso, as expectativas em torno das mudanças que a nova geração de memória RAM trará continuam crescendo.
